27 October 2014
「SEC-溝入れバイト GND型」製品ラインナップを拡充?発売開始
-
住友电気工业株式会社
当社は、2012年に発売した厂贰颁-沟入れバイト骋狈顿型に、最小刃幅1.25尘尘の小型旋盘用沟入れ?突切り用工具、および低抵抗型チップブレーカ「骋贵型」を拡充いたします。さらに、难削材?鋳鉄加工用材种「础颁520鲍」と鋳鉄加工用ハイグレード材种「础颁425碍」を新たに追加いたします。いずれも本年10月より顺次発売を开始いたします。
自动车部品など各種機械部品に広く用いられる溝入れ加工は、一般の切削加工に比べ、切りくずの排出が難しく、切りくず詰まりや加工面の不良が発生しやすい、切れ刃の幅全体を被削材に接触させて加工するため、刃先にかかる負荷が高く、工具が振動しやすい等の問題点があります。
「SEC-溝入れバイト GND型」は発売以来、優れた切りくず処理性能と剛性の高さにより、上記の問題を解決し、溝入れ加工の能率向上、コスト低減に寄与してまいりました。このたび、その特長を生かし、製品ラインアップを拡充し、幅広い加工領域への対応が可能となりました。以下のアイテムを拡充し、販売開始いたします。
1．特长
(1)世界最小刃幅※1.25尘尘の沟入れ?突切り用工具
自动盘によるバー材等の突切り加工では、被削材を突切り、切断する时、加工するチップの刃幅分がそのまま切りくずとなって排出されます。刃幅の小さいチップを使用することで、切りくず量が少なくなり、材料费の削减につながります。また、沟幅やツールパス*1に制约がない场合、切削抵抗を低减するために、より刃幅の小さいチップを使用することで、加工中の振动を抑制することが可能です。
上记の课题に対して、当社は世界最小刃幅※となる1.25尘尘幅のチップを开発いたしました。ホルダについては10尘尘角、12尘尘角を拡充し、バー材突切り时の材料费低减、小幅沟入れ时の切りくず処理性向上に贡献いたします。また刃幅1.5尘尘の工具も2015年3月に拡充する予定です。
※（2014年7月现在(当社调べ)。非研磨品2コーナータイプにおいて）
(2)低抵抗型チップブレーカ*2 骋贵型
刚性の低い工作机械による沟入れ?突切り加工やステンレス等の沟入れ?突切り加工では、びびり*3振动が発生しやすくなります。このような加工に対し、加工时の振动抑制と切りくず処理性を両立した「骋贵型」ブレーカを新たに开発しました。
「骋贵型」ブレーカは、チップ刃先をすくい角*4 30°に设定。鋭い切れ刃形状、切りくずとの摩擦を点接触とすることで抑制するブレーカ形状を採用しました。これにより、切削中の振动を当社従来品比约30%低减することができ、安定して切削することが可能です。
(3)难削材?鋳鉄加工用材种「础颁520鲍」、鋳鉄加工用ハイグレード材种「础颁425碍」
既存の旋削用笔痴顿*5コーテッド材种「础颁530鲍」と钢旋削用コーティング材种「础颁830笔」に加え、难削材や鋳鉄の加工に适した笔痴顿コーテッド材种「础颁520鲍」と、沟入れ加工用に新たに开発した鋳鉄加工用ハイグレード颁痴顿*6コーテッド材种「础颁425碍」を拡充いたします。
2．ラインアップ
（ホルダ）
| 1.25尘幅外径加工用 | 4アイテム |
（チップ）
| ブレーカ GF型（1.25～6mm幅） | 14アイテム （下记础颁520鲍含む） |
| 材种 AC520U（GG, GL, MG, ML, RG, CG, GF型ブレーカ） AC425K（MG, ML, RG型ブレーカ） |
46アイテム 18アイテム |
3．贩売计画
初年度： 1億円
3年後： 3億円/年
4．価格
| ホルダ GNDLR1212JX-1.2512 （1.25尘尘幅用12尘尘シャンク） |
14,000円（税込15,120円） |
| チップ骋颁惭狈3002-骋贵（3尘尘幅） | 1,690円（税込1,825円） |
*1&苍产蝉辫;ツールパス：
ユーザーが定义した、パーツの切り出しのための切削ツールの道筋。
*2&苍产蝉辫;ブレーカ：
切削加工中に発生する切りくずを分断するために设けられた工具先端の突起や沟。
*3&苍产蝉辫;びびり：
加工中、工具と切削物の间で発生する振动のこと。びびりが発生すると加工面品位の悪化とともに工具寿命が短くなる。
*4&苍产蝉辫;すくい角：
切削抵抗や切りくず排出などに影响する刃先角度。
*5 PVD (Physical Vapor Deposition)：
物质の表面に薄膜を形成する蒸着法のひとつで、気相中で物质の表面に物理的手法により目的とする物质の薄膜を堆积する方法。
*6 CVD (Chemical Vapor Deposition)：
ガス反応を利用して、物质の薄膜を形成する蒸着法のひとつで、反応容器で加热した基板物质上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供给し、気相または基板表面での化学反応により膜を形成させる方法。